Принципы использования полупроводников р-типа и n-типа в производстве PC.Основа процессоров – транзисторы. Основаны на p- и n-проводимости ( дырчатая и электронная).
Суть электронно – дырчатой проводимости: электроны вращаются вокруг ядра, потом переходят на другие энергетические уровни и срываются с орбиты => на энергетическом уровне появилось свободное место – «дырка».
Чужой электрон занимает эту дырку, а потом всё по новой.. Если есть воздействие извне – то электроны несут заряд в определённом направлении.. (вперёд – электронная проводимость, назад дырчатая).
За счёт диффузии дырок из P в N Область и обратно формируются объединённые слои, в которых присутствуют основные носители зарядов.
Простейший транзистор (КМОП) имеет исток, затвор, сток. Когда к транзистору не прикладывают напряжение – «закрытое» состояние (транзистор не способен проводить ток от истока к стоку). При этом ситуация не меняется даже если приложить напряжение от истока к стоку возникают токи утечки.
Если к затвору приложить «-» потенциал, то ситуация меняется: под воздействием электрического поля дырки выталкиваются внутрь p-полупроводника, а электроны – втягиваются в область под затвором, образуя обогащённый электронами канал между истоком и стоком.
Если приложить к затвору «+» напряжение, транзистор проводит ток – транзистор открывается.
|