BEDO DRAM – Brust Extended Data Out – память с реализацией блочного или пакетного доступа. Реализовывает не одиночные циклы чтения/ записи, а пакетные. Современные процессоры благодаря кэшированию команд и данных обмениваются, в основном, блоками данных.
В таком режиме нет необходимой подачи данных последовательных адресов на входе микросхемы. Следует лишь строббировать переход к очередному блоку данных отдельных сигналов.
Наибольшее распространение получили два вида ОЗУ: на основе конденсаторов (динамическая память) и триггеров (статическая память). Оба этих вида памяти не способны сохранять данные при отключении питания — для этой цели используется Энергонезависимая память.
По принципу действия памяти различают: динамическая, статическая. Различие – принцип хранения информации. Так как элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор ячеек, каждая из которых может хранить один бит информации.
Асинхронизирующий тип – EDO DRAM (Extended data out) – расширенная память, представляет собой продвинутый вариант FPM памяти. Страничный тип доступа.
На выходе стоят регистры-защёлки данных. Работает по принципу конвейера. Содержимое выбранных ячеек удерживается в выходных регистрах –защёлках, в то время как на вход уе подаётся адрес следующей выбираемой ячейки.
При работе с синхронной памятью SDRAM обеспечивается синхронизация всех входных/выходных сигналов с тактами системного генератора (т.е постоянно подаёт сигналы/колебания).
В самом процессоре есть генератор тактов. Управление памятью усложнилось, так как приходилось вводить регистры-защелки, которые хранят адреса, данные и управляющие сигналы, в то время как процессор передавал их в память, продолжая работу с другими устройствами.
После определённого числа тактов ( такт циклов) количество которых определяет счётчик, данные становятся доступными и процессор может их поручить системной шине.
DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала.
RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве с Intel в 1996 году. Высокие частоты памяти обеспечивали 99% загрузку канала, в то время, когда у конкурирующих стандартов загрузка достигала максимум 70%. Пропускная способность памяти 1 Гб/с, а позже и 4 Гб/с.
Право использовать RDRAM-планки лицензировали такие компании, как LG Semicon, Samsung, Mitsubishi. Позже к ним присоединилась компания AMD.
VRAM (англ. Video Random Access Memory) — ОЗУ для видеоизображений. Оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.
Является двухпортовой памятью — может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране.
WRAM (англ. Window Random Access Memory, произносится «дабл-ю-рэм») — «оконное» ОЗУ. Является схемотехническим развитием памяти VRAM — в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции, такие как перенос битовых блоков (англ. bit-block transfer, bitblt) и заполнение по шаблону (англ. pattern fill).
